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FBR硅烷流化床法颗粒硅	ZN901A:金属杂质含量≤15ppbw ZN901:金属杂质含量≤100ppbw	1、制造成本更低； 2、纯度可达电子级； 3、适用于CZ直拉单晶； 4、拥有自主知识产权的硅烷流化床技术。
GCL改良西门子法多晶硅	特级免洗致密特级免洗菜花特级免洗珊瑚料	1、自主研发冷氢化工艺，20万吨全球最大单套产能装置； 2、行业领先的还原工艺和涂层技术，大幅降低还原电耗； 3、满足高效N型单晶、一炉多根单晶对高纯多晶硅的要求。

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