世界领先的多晶硅制造技术
采用硅烷流化床法生产粒状多晶硅（颗粒硅），此种技术硅烷转化率接近百分之百，生产电耗极低，对比改良西门子法而言，生产成本低、技术门槛高、颗粒硅产品无需破碎、流动性好，适用于RCz直拉单晶硅智能制造或CCz工艺。
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颗粒硅产品品质满足单晶用料需求
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可连续生产颗粒硅，产品无需破碎，不引入二次污染
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单套反应器产能达五千吨、世界先进水平的流化床反应系统
采用改良西门子法生产制造多晶硅，自主研发了GCL多晶硅生产技术，此种技术能够高效地利用三氯氢硅，生产耗电较少，对比传统西门子法而言能够同时兼顾到环境保护，减少生产流程中的污染。
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全闭环多晶硅还原技术
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世界先进、独具特色的GCL法多晶硅生产工艺
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单套产能10万吨、世界先进水平的冷氢化系统
业界领先的铸锭单晶技术
铸锭单晶产品是铸锭技术的终极目标，采用多晶铸锭炉，在常规多晶铸锭的工艺基础上通过独创的籽晶铺设技术加入单晶籽晶，以定向凝固的方式生产铸锭单晶。该鑫单晶硅片从晶体结构、微观缺陷和表面形貌上来看，与直拉单晶相差无几。
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鑫单晶硅片的氧含量仅为直拉单晶硅片的50%以下，可显著降低硼氧复合导致的光致衰减
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鑫单晶硅片尺寸灵活，更能满足客户的定制化尺寸需求，兼容166、210等大尺寸硅片
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完美适配MBB、PERC、双面、MWT、半片、叠瓦、拼片等电池组件技术
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鑫单晶硅片性价比更高，给终端客户带来更低初始投入和更低度电成本
连续直拉单晶（CCz）技术
CCZ技术是直拉单晶技术的终极技术，具有连续投料、连续拉晶等特点，与常规RCz直拉单晶工艺相比，该技术单炉产量更高，一炉能拉出6-10根单晶硅棒，单晶硅棒的电阻率分布更窄。
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CCz技术拉制的单晶硅棒电阻率非常集中，在未来的N 型电池市场，CCz 将会有明显的优势
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适用于拉制硅部件用大尺寸硅棒
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采用连续加料的方式，单炉产量比RCz技术高20%以上，生产成本至少低10%。
规模化黑硅技术
自主研发的湿法黑硅技术通过在硅片表面形成亚微米级绒面，完美解决了表面过于光滑、反射率高的技术难题，同时，更佳的陷光性能带来光电转换效率进一步提升，达到行业领先水平，已实现20GW规模化量产。
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黑硅技术使得金刚线切割多晶得以普及，大大降低了多晶硅片生产成本
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双面黑硅升级为单面黑硅，进一步降低了黑硅成本
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“背钝化”与“黑硅陷光”的“完美”结合，实现了“1+1>2”的效果
高效多晶铸锭技术
多晶铸锭研发创新及高效多晶硅片产品始终保持行业标杆地位，先后推出鑫多晶S1、S2、S3、S4迭代产品，持久的差异化竞争优势，确保了产品在客户端性能表现始终保持领先。
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独特创新的设备设计、控制系统开发、热场设计、工艺优化和辅材优化，保障了公司多晶铸锭技术的核心竞争力，构建了公司特有的多晶铸锭技术生态圈
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特有的热场设计，结合计算机仿真模拟优化技术，提升了产品品质，在现有设备基础上热场尺寸持续升级
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行业领先的设备设计能力，保障了工艺能力的有效实现，实现了工艺技术和设备的充分融合
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全新的共掺杂技术投入量产，彻底解决了多晶电池片的光衰问题，为PERC等高效电池工艺提供更宽广的空间
金刚线切片技术
GCL引入金刚线切片技术，并率先实现了砂线切片机金刚线改造的突破，引领了多晶硅片砂线切割向金刚线切割的技术升级，在降低硅片成本方面取得了较大突破。
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与传统的游离磨料砂线切割相比，切割效率提升150%左右
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金刚线切割精度保持稳定，成品率大大提高
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更适用于细线化、薄片化生产，较传统工艺降低综合成本至少25%
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大幅度减少废线锯、废砂浆的产生
- 切割砂浆可以循环利用，切割粉屑便于回收
